iPhone 6S podobno z 2GB pamięci RAM i technologią 'Force Touch'

iPhone 6S podobno z 2GB pamięci RAM i technologią ‚Force Touch’

iPhone 6S

Nowy raport opublikowany przez tajwański TechNews twierdzi, że następna generacja Apple iPhone’a będzie wyposażona w szybszą, 2 gibabajtową pamięć RAM. Apple podobno wprowadzi 2GB pamięci LPDDR4 RAM do swojego iPhone w tym roku, co przyniesie znaczny wzrost wydajności przy zachowaniu tego samego zużycia energii co LPDDR3.

IPhone 5 wyposażony był w 1GB pamięci LPDDR2 RAM, podczas gdy iPhone 5S, iPhone 6 i iPhone 6 Plus posiada 1 GB pamięci LPDDR3 RAM.

Dodatkowo, Apple nowej generacji iPhone ma być także wyposażony w technologię ‚Force Touch’, którą znajdziemy w Apple Watch. Wraz z technologią ‚Force Touch’ iPhone może zacząć rozróżniać lekkie dotknięcia ekranu od mocniejszych wnosząc nowy wymiar i nowe możliwości w interfejsie użytkownika. Nie jest jednak jasne, w jaki sposób Apple wdrożyłby taki system do iPhone’a, gdyż wymagałby on poważnych zmian w technologii wyświetlacza tego urządzenia, zważywszy, że Apple Watch wykorzystuje elastyczny wyświetlacz OLED połączony z czujnikami wspierającymi funkcję ‘Force Touch’.

14.01.30-Force-2

Wygląd iPhone’a 6s ma zostać utrzymany taki sam jak obecnego iPhone’a 6, ale posiadać ma on ulepszone komponenty wewnętrzne, takie jak procesor A9, obie kamery i wiele więcej.

Tagi:




© 2016 AppleWorld
Wordpress SEO Plugin by Wordpress SEO Plugin